日本东北大学、日本制钢所公司和三菱化学公司合作，开发出了可量产直径2英寸以上的氮化镓单晶基板的低压酸性氨热(LPAAT)法。通过实现低压晶体生长，能以相对较小的晶体生长炉量产大型晶体。利用LPAAT法在基于SCAAT法的氮化镓籽晶上制作的2英寸长氮化镓单晶基板，具有晶体镶嵌性低(对称面和非对称面的X射线摇摆曲线半值宽度在28秒内)、基板几乎没有曲翘(曲率半径约为1.5公里)的良好晶体结构特性。